TN2510N8-G, МОП-транзистор, N Канал, 730 мА, 100 В, 1 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

100,00 руб.

Артикул: 1135712 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	100,00руб.	93,00руб.	90,00руб.	88,00руб.	85,00руб.	80,00руб.	78,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	188,00руб.	173,00руб.	170,00руб.	166,00руб.	160,00руб.	151,00руб.	147,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	191,00руб.	176,00руб.	172,00руб.	168,00руб.	160,00руб.	152,00руб.	149,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	120,00руб.	110,00руб.	108,00руб.	105,00руб.	102,00руб.	96,00руб.	93,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	174,00руб.	160,00руб.	156,00руб.	153,00руб.	148,00руб.	139,00руб.	135,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	109,00руб.	101,00руб.	98,00руб.	96,00руб.	93,00руб.	87,00руб.	85,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

TN2510N8-G, МОП-транзистор, N Канал, 730 мА, 100 В, 1 Ом This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.

• Low threshold (2.0V max.)
• High input impedance
• Low input capacitance (125pF max.)
• Fast switching speeds
• Low on-resistance
• Free from secondary breakdown
• Low input and output leakage

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOT-89
Рассеиваемая Мощность	1.6Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	730мА