75

STW7NK90Z, МОП-транзистор, N Канал, 2.9 А, 900 В, 1.56 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

340,00 руб.

x 340,00 = 340,00
Артикул: 1133273 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней340,00руб.316,20руб.306,00руб.299,20руб.289,00руб.272,00руб.265,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней639,20руб.588,20руб.578,00руб.564,40руб.544,00руб.513,40руб.499,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней649,40руб.598,40руб.584,80руб.571,20руб.544,00руб.516,80руб.506,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней408,00руб.374,00руб.367,20руб.357,00руб.346,80руб.326,40руб.316,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней591,60руб.544,00руб.530,40руб.520,20руб.503,20руб.472,60руб.459,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней370,60руб.343,40руб.333,20руб.326,40руб.316,20руб.295,80руб.289,00руб.

Характеристики

STW7NK90Z, МОП-транзистор, N Канал, 2.9 А, 900 В, 1.56 Ом The STW7NK90Z is a 900V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• Extremely high dv/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Very good manufacturing repeatability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

140Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

900В
Непрерывный Ток Стока

2.9А