Заполнитель

STP9NK50ZFP, МОП-транзистор, N Канал, 7.2 А, 500 В, 0.72 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

161,00 руб.

x 161,00 = 161,00
Артикул: 1127649 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней161,00руб.149,73руб.144,90руб.141,68руб.136,85руб.128,80руб.125,58руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней302,68руб.278,53руб.273,70руб.267,26руб.257,60руб.243,11руб.236,67руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней307,51руб.283,36руб.276,92руб.270,48руб.257,60руб.244,72руб.239,89руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней193,20руб.177,10руб.173,88руб.169,05руб.164,22руб.154,56руб.149,73руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней280,14руб.257,60руб.251,16руб.246,33руб.238,28руб.223,79руб.217,35руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней175,49руб.162,61руб.157,78руб.154,56руб.149,73руб.140,07руб.136,85руб.

Характеристики

STP9NK50ZFP, МОП-транзистор, N Канал, 7.2 А, 500 В, 0.72 Ом The STP9NK50ZFP is a 500V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• Extremely high dv/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Very good manufacturing repeatability

Дополнительная информация

Структура

n-канал