Заполнитель

STP14NF12, Транзистор, STripFET II, N-канал 120В, 14A [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

30,00 руб.

x 30,00 = 30,00
Артикул: 1126859 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней30,00руб.27,90руб.27,00руб.26,40руб.24,60руб.24,00руб.23,40руб.21,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней54,30руб.49,80руб.48,90руб.47,70руб.44,40руб.43,50руб.42,30руб.38,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней70,20руб.64,80руб.63,30руб.61,80руб.57,60руб.56,10руб.54,90руб.49,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней36,00руб.33,00руб.32,40руб.31,50руб.29,40руб.28,80руб.27,90руб.25,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней69,30руб.63,90руб.62,40руб.60,90руб.59,10руб.57,00руб.54,00руб.48,60руб.

Характеристики

STP14NF12, Транзистор, STripFET II, N-канал 120В, 14A [TO-220AB]The STP14NF12 is a 120V N-channel Power MOSFET realized with unique STripFET process. It has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer application. It is also intended for any application with low gate charge drive requirements. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• Exceptional dv/dt capability
• Application oriented characterization

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал