Заполнитель

STP12NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 0.30 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

77,00 руб.

x 77,00 = 77,00
Артикул: 1126855 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней77,00руб.71,61руб.69,30руб.67,76руб.63,14руб.61,60руб.60,06руб.55,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней139,37руб.127,82руб.125,51руб.122,43руб.113,96руб.111,65руб.108,57руб.97,79руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней180,18руб.166,32руб.162,47руб.158,62руб.147,84руб.143,99руб.140,91руб.126,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней92,40руб.84,70руб.83,16руб.80,85руб.75,46руб.73,92руб.71,61руб.64,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней177,87руб.164,01руб.160,16руб.156,31руб.151,69руб.146,30руб.138,60руб.124,74руб.

Характеристики

STP12NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 0.30 Ом The STP12NM50 is a 500V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• High dv/dt and avalanche capabilities
• Low input capacitance and gate charge
• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance
• Tight process control and high manufacturing yields

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал