011

STD5NM60T4, МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 650 В, 1 Ом, 10 В, 4 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

98,00 руб.

x 98,00 = 98,00
Артикул: 1133093 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней98,00руб.91,14руб.88,20руб.86,24руб.80,36руб.78,40руб.76,44руб.70,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней177,38руб.162,68руб.159,74руб.155,82руб.145,04руб.142,10руб.138,18руб.124,46руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней229,32руб.211,68руб.206,78руб.201,88руб.188,16руб.183,26руб.179,34руб.160,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней117,60руб.107,80руб.105,84руб.102,90руб.96,04руб.94,08руб.91,14руб.82,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней226,38руб.208,74руб.203,84руб.198,94руб.193,06руб.186,20руб.176,40руб.158,76руб.

Характеристики

STD5NM60T4, МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 650 В, 1 Ом, 10 В, 4 ВThe STD5NM60T4 is an N-channel MDmesh™ Power MOSFET has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The MDmesh™ is a new revolutionary power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company’s PowerMESH™ horizontal layout. The adoption of the company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition’s products.

• 100% Avalanche tested
• High dv/dt and avalanche capabilities
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

96Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

650В
Непрерывный Ток Стока

5а