011

STD4NK60ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 600 В, 2 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

86,00 руб.

x 86,00 = 86,00
Артикул: 1133089 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней86,00руб.79,98руб.77,40руб.75,68руб.70,52руб.68,80руб.67,08руб.61,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней155,66руб.142,76руб.140,18руб.136,74руб.127,28руб.124,70руб.121,26руб.109,22руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней201,24руб.185,76руб.181,46руб.177,16руб.165,12руб.160,82руб.157,38руб.141,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней103,20руб.94,60руб.92,88руб.90,30руб.84,28руб.82,56руб.79,98руб.72,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней198,66руб.183,18руб.178,88руб.174,58руб.169,42руб.163,40руб.154,80руб.139,32руб.

Характеристики

STD4NK60ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 600 В, 2 Ом The STD4NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.

• Very low intrinsic capacitance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

70Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

4А