011

STD3PK50Z, МОП-транзистор, P Канал, 2.8 А, -500 В, 3 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

200,00 руб.

x 200,00 = 200,00
Артикул: 1135616 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней200,00руб.186,00руб.180,00руб.176,00руб.170,00руб.160,00руб.156,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней376,00руб.346,00руб.340,00руб.332,00руб.320,00руб.302,00руб.294,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней382,00руб.352,00руб.344,00руб.336,00руб.320,00руб.304,00руб.298,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней240,00руб.220,00руб.216,00руб.210,00руб.204,00руб.192,00руб.186,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней348,00руб.320,00руб.312,00руб.306,00руб.296,00руб.278,00руб.270,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней218,00руб.202,00руб.196,00руб.192,00руб.186,00руб.174,00руб.170,00руб.

Характеристики

STD3PK50Z, МОП-транзистор, P Канал, 2.8 А, -500 В, 3 Ом The STD3PK50Z is a -500V P-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on resistance, the MOSFET is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

• Gate charge minimized
• Extremely high dv/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Very low intrinsic capacitance
• Improved ESD capability
• High peak power
• High ruggedness capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

85Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-500В
Непрерывный Ток Стока

2.8А