16

STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

93,00 руб.

x 93,00 = 93,00
Артикул: 1126826 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней93,00руб.86,49руб.83,70руб.81,84руб.76,26руб.74,40руб.72,54руб.66,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней168,33руб.154,38руб.151,59руб.147,87руб.137,64руб.134,85руб.131,13руб.118,11руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней217,62руб.200,88руб.196,23руб.191,58руб.178,56руб.173,91руб.170,19руб.152,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней111,60руб.102,30руб.100,44руб.97,65руб.91,14руб.89,28руб.86,49руб.78,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней214,83руб.198,09руб.193,44руб.188,79руб.183,21руб.176,70руб.167,40руб.150,66руб.

Характеристики

STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH The STB9NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.

• Improved ESD capability
• 100% Avalanche tested
• Very low intrinsic capacitance
• Extremely high dV/dt capability

Дополнительная информация

Корпус

d2pak
Структура

n-канал