16

STB80NF55-08T4, МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 55 В, 8 мОм

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

310,00 руб.

x 310,00 = 310,00
Артикул: 1135602 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней310,00руб.288,30руб.279,00руб.272,80руб.263,50руб.248,00руб.241,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней582,80руб.536,30руб.527,00руб.514,60руб.496,00руб.468,10руб.455,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней592,10руб.545,60руб.533,20руб.520,80руб.496,00руб.471,20руб.461,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней372,00руб.341,00руб.334,80руб.325,50руб.316,20руб.297,60руб.288,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней539,40руб.496,00руб.483,60руб.474,30руб.458,80руб.430,90руб.418,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней337,90руб.313,10руб.303,80руб.297,60руб.288,30руб.269,70руб.263,50руб.

Характеристики

STB80NF55-08T4, МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 55 В, 8 мОм The STB80NF55-08T4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

• Standard threshold drive
• -55 to 175 C Operating junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

300Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

55В
Непрерывный Ток Стока

80А