STB35N60DM2, МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 28 А

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

390,00 руб.

Артикул: 1133051 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	390,00руб.	362,70руб.	351,00руб.	343,20руб.	331,50руб.	312,00руб.	304,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	733,20руб.	674,70руб.	663,00руб.	647,40руб.	624,00руб.	588,90руб.	573,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	744,90руб.	686,40руб.	670,80руб.	655,20руб.	624,00руб.	592,80руб.	581,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	468,00руб.	429,00руб.	421,20руб.	409,50руб.	397,80руб.	374,40руб.	362,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	678,60руб.	624,00руб.	608,40руб.	596,70руб.	577,20руб.	542,10руб.	526,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	425,10руб.	393,90руб.	382,20руб.	374,40руб.	362,70руб.	339,30руб.	331,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

STB35N60DM2, МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 28 А N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263
Рассеиваемая Мощность	210Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	600в
Непрерывный Ток Стока	28А