52н

SPP11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

140,00 руб.

x 140,00 = 140,00
Артикул: 1126811 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней140,00руб.130,20руб.126,00руб.123,20руб.119,00руб.112,00руб.109,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней263,20руб.242,20руб.238,00руб.232,40руб.224,00руб.211,40руб.205,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней267,40руб.246,40руб.240,80руб.235,20руб.224,00руб.212,80руб.208,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней168,00руб.154,00руб.151,20руб.147,00руб.142,80руб.134,40руб.130,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней243,60руб.224,00руб.218,40руб.214,20руб.207,20руб.194,60руб.189,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней152,60руб.141,40руб.137,20руб.134,40руб.130,20руб.121,80руб.119,00руб.

Характеристики

SPP11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB]The SPP11N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features ultra low gate charge. It is designed for high DC bulk voltage and switching Applications.

• New revolutionary high voltage technology
• Extreme dV/dt rated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Ultra low effective capacitance
• Field proven CoolMOS™ quality
• High reliability
• Outstanding performance
• High efficiency and power density

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал