Характеристики
IGBT: 1200 В, 200 А, Модуль, полумост
Технические характеристики:
Внутренняя схема: GB
Кол-во ключей в модуле: 2
Напряжение К-Э: 1.2 кВ
Рабочий ток при 25 C: 150А
Технология кристалла: NPT IGBT (Uitrafast)
Корпус: SEMITRANS3
Поставки электронных компонентов в Петрозаводск
16.000,00 руб.
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
Склад №1 | 10-12 дней | 16.000,00руб. | 14.880,00руб. | 14.080,00руб. | 13.600,00руб. | 13.120,00руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
Склад №2 | 10-12 дней | 19.520,00руб. | 16.960,00руб. | 15.840,00руб. | 15.200,00руб. | 13.440,00руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
Склад №3 | 7 дней | 21.120,00руб. | 20.000,00руб. | 19.040,00руб. | 17.920,00руб. | 15.840,00руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
Склад №4 | 10 дней | 19.040,00руб. | 18.080,00руб. | 17.120,00руб. | 16.160,00руб. | 14.240,00руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
Склад №5 | 10-12 дней | 17.760,00руб. | 16.800,00руб. | 15.840,00руб. | 15.040,00руб. | 13.280,00руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
Склад №6 | 6 дней | 22.080,00руб. | 20.960,00руб. | 19.840,00руб. | 18.720,00руб. | 16.640,00руб. |
IGBT: 1200 В, 200 А, Модуль, полумост
Технические характеристики:
Внутренняя схема: GB
Кол-во ключей в модуле: 2
Напряжение К-Э: 1.2 кВ
Рабочий ток при 25 C: 150А
Технология кристалла: NPT IGBT (Uitrafast)
Корпус: SEMITRANS3
Бренд | Semikron |
---|