Характеристики
SIHG16N50C-E3, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 500 В The SIHG16N50C-E3 is a 500VDS N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
• 100% Avalanche tested
• Gate charge improved
• Improved trr/Qrr
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы