SI4100DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 6.8 А, 100 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

130,00 руб.

Артикул: 1135368 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	130,00руб.	120,90руб.	117,00руб.	114,40руб.	110,50руб.	104,00руб.	101,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	244,40руб.	224,90руб.	221,00руб.	215,80руб.	208,00руб.	196,30руб.	191,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	248,30руб.	228,80руб.	223,60руб.	218,40руб.	208,00руб.	197,60руб.	193,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	156,00руб.	143,00руб.	140,40руб.	136,50руб.	132,60руб.	124,80руб.	120,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	226,20руб.	208,00руб.	202,80руб.	198,90руб.	192,40руб.	180,70руб.	175,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	141,70руб.	131,30руб.	127,40руб.	124,80руб.	120,90руб.	113,10руб.	110,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

SI4100DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 6.8 А, 100 В The SI4100DY-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high frequency boost converter and LED backlight for LCD TV applications.

• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150 C Operating temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	6Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	6.8А