b8d8241ec6d5b2ab5f46e5a5304ee6ff

SI1424EDH-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 20 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

33,00 руб.

x 33,00 = 33,00
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней33,00руб.30,69руб.29,70руб.29,04руб.27,06руб.26,40руб.25,74руб.23,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней59,73руб.54,78руб.53,79руб.52,47руб.48,84руб.47,85руб.46,53руб.41,91руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней77,22руб.71,28руб.69,63руб.67,98руб.63,36руб.61,71руб.60,39руб.54,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней39,60руб.36,30руб.35,64руб.34,65руб.32,34руб.31,68руб.30,69руб.27,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней76,23руб.70,29руб.68,64руб.66,99руб.65,01руб.62,70руб.59,40руб.53,46руб.

Характеристики

SI1424EDH-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 20 В The SI1424EDH-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switching and battery switch applications.

• 4000V ESD performance
• 100% Rg tested
• -55 to 150 C Operating temperature range
• Halogen-free

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-363

Рассеиваемая Мощность

2.8Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

20В

Непрерывный Ток Стока