1925

SI1031R-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -140 мА, -20 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

40,00 руб.

x 40,00 = 40,00
Артикул: 1135326 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней40,00руб.37,20руб.36,00руб.35,20руб.32,80руб.32,00руб.31,20руб.28,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней72,40руб.66,40руб.65,20руб.63,60руб.59,20руб.58,00руб.56,40руб.50,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней93,60руб.86,40руб.84,40руб.82,40руб.76,80руб.74,80руб.73,20руб.65,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней48,00руб.44,00руб.43,20руб.42,00руб.39,20руб.38,40руб.37,20руб.33,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней92,40руб.85,20руб.83,20руб.81,20руб.78,80руб.76,00руб.72,00руб.64,80руб.

Характеристики

SI1031R-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -140 мА, -20 В The SI1031R-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.

• 2000V Gate-source ESD protected
• High-side switching
• Low ON-resistance
• Low threshold
• 45ns Fast switching speed
• 1.5V Rated voltage
• Halogen-free
• Ease in driving switches
• Low offset voltage
• Low-voltage operation
• High-speed circuits
• Low battery voltage operation

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SC-75A
Рассеиваемая Мощность

250мВт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-20В
Непрерывный Ток Стока

-140мА