67

PBSS4540Z.115, Транзистор NPN 40В 5А 2Вт [SOT-223]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

17,00 руб.

x 17,00 = 17,00
Артикул: 1123569 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней17,00руб.15,81руб.15,30руб.14,96руб.13,94руб.13,60руб.13,26руб.12,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней30,77руб.28,22руб.27,71руб.27,03руб.25,16руб.24,65руб.23,97руб.21,59руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней39,78руб.36,72руб.35,87руб.35,02руб.32,64руб.31,79руб.31,11руб.27,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней20,40руб.18,70руб.18,36руб.17,85руб.16,66руб.16,32руб.15,81руб.14,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней39,27руб.36,21руб.35,36руб.34,51руб.33,49руб.32,30руб.30,60руб.27,54руб.

Характеристики

PBSS4540Z.115, Транзистор NPN 40В 5А 2Вт [SOT-223]Low Saturation Voltage NPN Transistors, Nexperia
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.