67

NDS356AP, МОП-транзистор, P Канал, 1.1 А, -30 В, 300 мОм

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

35,00 руб.

x 35,00 = 35,00
Артикул: 1134677 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней35,00руб.32,55руб.31,50руб.30,80руб.28,70руб.28,00руб.27,30руб.25,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней63,35руб.58,10руб.57,05руб.55,65руб.51,80руб.50,75руб.49,35руб.44,45руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней81,90руб.75,60руб.73,85руб.72,10руб.67,20руб.65,45руб.64,05руб.57,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней42,00руб.38,50руб.37,80руб.36,75руб.34,30руб.33,60руб.32,55руб.29,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней80,85руб.74,55руб.72,80руб.71,05руб.68,95руб.66,50руб.63,00руб.56,70руб.

Характеристики

NDS356AP, МОП-транзистор, P Канал, 1.1 А, -30 В, 300 мОм The NDS356AP is a P-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. Suitable for low voltage applications such as battery powered circuits for fast high side switching and low in-line power loss.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
• ±20V Gate-source voltage

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23
Рассеиваемая Мощность

500мВт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-30В
Непрерывный Ток Стока

1.1А