67

MMBTA56LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 50 МГц

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

4,00 руб.

x 4,00 = 4,00
Артикул: 1123554 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней4,00руб.3,72руб.3,60руб.3,52руб.3,28руб.3,20руб.3,12руб.2,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней7,24руб.6,64руб.6,52руб.6,36руб.5,92руб.5,80руб.5,64руб.5,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней9,36руб.8,64руб.8,44руб.8,24руб.7,68руб.7,48руб.7,32руб.6,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней4,80руб.4,40руб.4,32руб.4,20руб.3,92руб.3,84руб.3,72руб.3,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней9,24руб.8,52руб.8,32руб.8,12руб.7,88руб.7,60руб.7,20руб.6,48руб.

Характеристики

MMBTA56LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 50 МГц The MMBTA56LT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in a package which is designed for lower power surface-mount applications.

• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Saves board space
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Дополнительная информация

Корпус

sot23
Структура

pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

30