67

MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

3,00 руб.

x 3,00 = 3,00
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней3,00руб.2,79руб.2,70руб.2,64руб.2,46руб.2,40руб.2,34руб.2,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней5,43руб.4,98руб.4,89руб.4,77руб.4,44руб.4,35руб.4,23руб.3,81руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней7,02руб.6,48руб.6,33руб.6,18руб.5,76руб.5,61руб.5,49руб.4,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней3,60руб.3,30руб.3,24руб.3,15руб.2,94руб.2,88руб.2,79руб.2,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней6,93руб.6,39руб.6,24руб.6,09руб.5,91руб.5,70руб.5,40руб.4,86руб.

Характеристики

MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А The MMBT3906LT1G is a PNP silicon Bipolar Transistor, designed for use in linear and switching applications.

• Halogen-free/BFR-free
• AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

Дополнительная информация

Корпус

sot23

Структура

pnp

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.2

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

30

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.31