Характеристики
MMBF170LT1G, МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 60 В, 5 Ом The MMBF170LT1G is a N-channel Power MOSFET with drain source voltage at 60VDC and drain current at 500mA.
• AEC-Q101 Qualified
• PPAP capable
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы