MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

5,00 руб.

Артикул: 1126783 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	5,00руб.	4,65руб.	4,50руб.	4,40руб.	4,10руб.	4,00руб.	3,90руб.	3,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	9,05руб.	8,30руб.	8,15руб.	7,95руб.	7,40руб.	7,25руб.	7,05руб.	6,35руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	11,70руб.	10,80руб.	10,55руб.	10,30руб.	9,60руб.	9,35руб.	9,15руб.	8,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	6,00руб.	5,50руб.	5,40руб.	5,25руб.	4,90руб.	4,80руб.	4,65руб.	4,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	11,55руб.	10,65руб.	10,40руб.	10,15руб.	9,85руб.	9,50руб.	9,00руб.	8,10руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]The MMBF170 is a N-channel enhancement-mode FET produced using Fairchild’s proprietary high cell density DMOS technology. It is designed to minimize ON-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 500mA DC. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.

• High density cell design for low RDS (ON)
• Voltage controlled small signal switch
• Rugged and reliable
• High saturation current capability