Характеристики
IXGR32N170H1, БТИЗ транзистор, изолированный, 26 А, 3.5 В The IXGR32N170H1 is a High Voltage IGBT with diode. It is suitable for DC choppers, capacitor discharge and pulse circuits.
• Electrically isolated tab
• High current handling capability
• MOS gate turn-ON — drive simplicity
• Rugged NPT structure
• UL94V-0 Flammability rating
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные