3f51809dfdbb4be4274657a2fcd97c19

IXGR16N170AH1, БТИЗ транзистор, изолированный, 16 А, 5 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

1.840,00 руб.

x 1.840,00 = 1.840,00
Артикул: 1136207 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.840,00руб.1.711,20руб.1.619,20руб.1.564,00руб.1.508,80руб.1.481,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней2.079,20руб.1.876,80руб.1.840,00руб.1.766,40руб.1.711,20руб.1.674,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней2.244,80руб.2.024,00руб.1.968,80руб.1.913,60руб.1.803,20руб.1.692,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней2.189,60руб.1.968,80руб.1.932,00руб.1.858,40руб.1.784,80руб.1.683,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней3.128,00руб.2.815,20руб.2.760,00руб.2.649,60руб.2.557,60руб.2.336,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней3.109,60руб.2.796,80руб.2.737,92руб.2.631,20руб.2.539,20руб.2.318,40руб.

Характеристики

IXGR16N170AH1, БТИЗ транзистор, изолированный, 16 А, 5 В The IXGR16N170AH1 is a High Voltage IGBT with sonic diode. It is suitable for DC choppers, capacitor discharge and pulse circuits.

• Silicon chip on direct-copper bond (DCB) substrate
• Isolated mounting surface
• Anti-parallel sonic diode
• High power density
• Low gate drive requirement
• 2500V Electrical isolation

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.7кВ
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-247AD
Рассеиваемая Мощность

120Вт
DC Ток Коллектора

16А