IRLR3410PBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [D-PAK]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

31,00 руб.

Артикул: 1126381 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	31,00руб.	28,83руб.	27,90руб.	27,28руб.	25,42руб.	24,80руб.	24,18руб.	22,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	56,11руб.	51,46руб.	50,53руб.	49,29руб.	45,88руб.	44,95руб.	43,71руб.	39,37руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	72,54руб.	66,96руб.	65,41руб.	63,86руб.	59,52руб.	57,97руб.	56,73руб.	50,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	37,20руб.	34,10руб.	33,48руб.	32,55руб.	30,38руб.	29,76руб.	28,83руб.	26,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	71,61руб.	66,03руб.	64,48руб.	62,93руб.	61,07руб.	58,90руб.	55,80руб.	50,22руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRLR3410PBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [D-PAK]The IRLR3410PBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The D-PAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface mount applications.

• Logic level gate drive
• Ultra low on-resistance
• Surface mount
• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rated