4

Транзистор IRG7PH46UDPBF, IGBT 1200В 40А [TO-247AC]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

460,00 руб.

x 460,00 = 460,00
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней460,00руб.427,80руб.414,00руб.404,80руб.391,00руб.368,00руб.358,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней864,80руб.795,80руб.782,00руб.763,60руб.736,00руб.694,60руб.676,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней878,60руб.809,60руб.791,20руб.772,80руб.736,00руб.699,20руб.685,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней552,00руб.506,00руб.496,80руб.483,00руб.469,20руб.441,60руб.427,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней800,40руб.736,00руб.717,60руб.703,80руб.680,80руб.639,40руб.621,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней501,40руб.464,60руб.450,80руб.441,60руб.427,80руб.400,20руб.391,00руб.

Характеристики

IRG7PH46UDPBF, IGBT 1200В 40А [TO-247AC]Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.

Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс.

Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.

Дополнительная информация

Корпус

to247ac

Структура

n-канал+диод