7

IRG7PH42UPBF, БТИЗ транзистор, 90 А, 1.7 В, 385 Вт, 1.2 кВ

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

350,00 руб.

x 350,00 = 350,00
Артикул: 1136185 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней350,00руб.325,50руб.315,00руб.308,00руб.297,50руб.280,00руб.273,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней658,00руб.605,50руб.595,00руб.581,00руб.560,00руб.528,50руб.514,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней668,50руб.616,00руб.602,00руб.588,00руб.560,00руб.532,00руб.521,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней420,00руб.385,00руб.378,00руб.367,50руб.357,00руб.336,00руб.325,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней609,00руб.560,00руб.546,00руб.535,50руб.518,00руб.486,50руб.472,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней381,50руб.353,50руб.343,00руб.336,00руб.325,50руб.304,50руб.297,50руб.

Характеристики

IRG7PH42UPBF, БТИЗ транзистор, 90 А, 1.7 В, 385 Вт, 1.2 кВ The IRG7PH42UPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor suitable for a wide range of switching frequencies due to low VCE (ON) and low switching losses. It features rugged transient performance for increased reliability and excellent current sharing in parallel operation.

• Low VCE (ON) Trench IGBT technology
• Low switching losses
• Square RBSOA
• 100% of Parts tested for ILM
• Positive VCE (ON) temperature coefficient
• Tight parameter distribution
• High efficiency in a wide range of applications

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.2кВ
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247ac
Рассеиваемая Мощность

385Вт
DC Ток Коллектора

90А