47

Транзистор IRG4PSC71UDPBF, IGBT+di 600В 85А [Super247]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

540,00 руб.

x 540,00 = 540,00
Артикул: 1128322 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней540,00руб.502,20руб.486,00руб.475,20руб.459,00руб.432,00руб.421,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.015,20руб.934,20руб.918,00руб.896,40руб.864,00руб.815,40руб.793,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.031,40руб.950,40руб.928,80руб.907,20руб.864,00руб.820,80руб.804,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней648,00руб.594,00руб.583,20руб.567,00руб.550,80руб.518,40руб.502,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней939,60руб.864,00руб.842,40руб.826,20руб.799,20руб.750,60руб.729,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней588,60руб.545,40руб.529,20руб.518,40руб.502,20руб.469,80руб.459,00руб.

Характеристики

IRG4PSC71UDPBF, IGBT+di 600В 85А [Super247]The IRG4PSC71UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.

• Creepage distance increased to 5.35mm
• High efficiency
• Maximum power density
• Optimized for specific application conditions
• HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs

Дополнительная информация

Корпус

super-247
Структура

n-канал+диод