4

Транзистор IRG4PH40UPBF, IGBT 1200В 20А 75кГц [ТО-247]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

170,00 руб.

x 170,00 = 170,00
Артикул: 1128317 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней170,00руб.158,10руб.153,00руб.149,60руб.144,50руб.136,00руб.132,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней319,60руб.294,10руб.289,00руб.282,20руб.272,00руб.256,70руб.249,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней324,70руб.299,20руб.292,40руб.285,60руб.272,00руб.258,40руб.253,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней204,00руб.187,00руб.183,60руб.178,50руб.173,40руб.163,20руб.158,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней295,80руб.272,00руб.265,20руб.260,10руб.251,60руб.236,30руб.229,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней185,30руб.171,70руб.166,60руб.163,20руб.158,10руб.147,90руб.144,50руб.

Характеристики

IRG4PH40UPBF, IGBT 1200В 20А 75кГц [ТО-247]The IRG4PH40UPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor optimized for high operating frequencies up to 40kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode. The new IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations. It is optimized for power conversion, SMPS, UPS and welding.

• High switching frequency capability than competitive IGBTs
• High efficiency
• Much lower conduction losses than MOSFETs
• More efficient than short-circuit rated IGBTs

Дополнительная информация

Корпус

to-247ac
Структура

n-канал