47

Транзистор IRG4BC30KDPBF, IGBT 600В 28А, [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

120,00 руб.

x 120,00 = 120,00
Артикул: 1128294 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней120,00руб.111,60руб.108,00руб.105,60руб.102,00руб.96,00руб.93,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней225,60руб.207,60руб.204,00руб.199,20руб.192,00руб.181,20руб.176,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней229,20руб.211,20руб.206,40руб.201,60руб.192,00руб.182,40руб.178,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней144,00руб.132,00руб.129,60руб.126,00руб.122,40руб.115,20руб.111,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней208,80руб.192,00руб.187,20руб.183,60руб.177,60руб.166,80руб.162,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней130,80руб.121,20руб.117,60руб.115,20руб.111,60руб.104,40руб.102,00руб.

Характеристики

IRG4BC30KDPBF, IGBT 600В 28А, [TO-220AB]The IRG4BC30KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.

• Combines low conduction losses with high switching speed
• Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

Дополнительная информация

Корпус

TO-220AB
Структура

n-канал+диод