47

IRG4BC20FDPBF, Транзистор IGBT+ диод 600В 16А, [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

86,00 руб.

x 86,00 = 86,00
Артикул: 1128288 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней86,00руб.79,98руб.77,40руб.75,68руб.70,52руб.68,80руб.67,08руб.61,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней155,66руб.142,76руб.140,18руб.136,74руб.127,28руб.124,70руб.121,26руб.109,22руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней201,24руб.185,76руб.181,46руб.177,16руб.165,12руб.160,82руб.157,38руб.141,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней103,20руб.94,60руб.92,88руб.90,30руб.84,28руб.82,56руб.79,98руб.72,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней198,66руб.183,18руб.178,88руб.174,58руб.169,42руб.163,40руб.154,80руб.139,32руб.

Характеристики

IRG4BC20FDPBF, Транзистор IGBT+ диод 600В 16А, [TO-220AB]The IRG4BC20FDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for medium operating frequencies (1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode). It feature generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.

• Optimized for specific application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Дополнительная информация

Корпус

TO-220AB
Структура

n-канал+диод