16

Транзистор IRFZ44ZSPBF, Nкан 55В 51А [TO-263]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

88,00 руб.

x 88,00 = 88,00
Артикул: 1127262 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней88,00руб.81,84руб.79,20руб.77,44руб.72,16руб.70,40руб.68,64руб.63,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней159,28руб.146,08руб.143,44руб.139,92руб.130,24руб.127,60руб.124,08руб.111,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней205,92руб.190,08руб.185,68руб.181,28руб.168,96руб.164,56руб.161,04руб.144,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней105,60руб.96,80руб.95,04руб.92,40руб.86,24руб.84,48руб.81,84руб.73,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней203,28руб.187,44руб.183,04руб.178,64руб.173,36руб.167,20руб.158,40руб.142,56руб.

Характеристики

IRFZ44ZSPBF, Nкан 55В 51А [TO-263]The IRFZ44ZSPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

n-канал