IRFS4620PBF, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 200 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

190,00 руб.

Артикул: 1134502 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	190,00руб.	176,70руб.	171,00руб.	167,20руб.	161,50руб.	152,00руб.	148,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	357,20руб.	328,70руб.	323,00руб.	315,40руб.	304,00руб.	286,90руб.	279,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	362,90руб.	334,40руб.	326,80руб.	319,20руб.	304,00руб.	288,80руб.	283,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	228,00руб.	209,00руб.	205,20руб.	199,50руб.	193,80руб.	182,40руб.	176,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	330,60руб.	304,00руб.	296,40руб.	290,70руб.	281,20руб.	264,10руб.	256,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	207,10руб.	191,90руб.	186,20руб.	182,40руб.	176,70руб.	165,30руб.	161,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFS4620PBF, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 200 В The IRFS4620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263
Рассеиваемая Мощность	144Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	200В
Непрерывный Ток Стока	24А