51

Транзистор IRFR9N20DPBF, Nкан 200В 9.4А D-Pak

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

26,00 руб.

x 26,00 = 26,00
Артикул: 1126239 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней26,00руб.24,18руб.23,40руб.22,88руб.21,32руб.20,80руб.20,28руб.18,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней47,06руб.43,16руб.42,38руб.41,34руб.38,48руб.37,70руб.36,66руб.33,02руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней60,84руб.56,16руб.54,86руб.53,56руб.49,92руб.48,62руб.47,58руб.42,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней31,20руб.28,60руб.28,08руб.27,30руб.25,48руб.24,96руб.24,18руб.21,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней60,06руб.55,38руб.54,08руб.52,78руб.51,22руб.49,40руб.46,80руб.42,12руб.

Характеристики

IRFR9N20DPBF, Nкан 200В 9.4А D-PakN-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

n-канал