IRFR9110PBF, МОП-транзистор, P Канал, 3.1 А, 100 В, 1.2 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

80,00 руб.

Артикул: 1134483 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	80,00руб.	74,40руб.	72,00руб.	70,40руб.	65,60руб.	64,00руб.	62,40руб.	57,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	144,80руб.	132,80руб.	130,40руб.	127,20руб.	118,40руб.	116,00руб.	112,80руб.	101,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	187,20руб.	172,80руб.	168,80руб.	164,80руб.	153,60руб.	149,60руб.	146,40руб.	131,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	96,00руб.	88,00руб.	86,40руб.	84,00руб.	78,40руб.	76,80руб.	74,40руб.	67,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	184,80руб.	170,40руб.	166,40руб.	162,40руб.	157,60руб.	152,00руб.	144,00руб.	129,60руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFR9110PBF, МОП-транзистор, P Канал, 3.1 А, 100 В, 1.2 Ом The IRFR9110PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Surface-mount

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	25Вт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	3.1А