16

IRFR3410TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 31 А, 100 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

62,00 руб.

x 62,00 = 62,00
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней62,00руб.57,66руб.55,80руб.54,56руб.50,84руб.49,60руб.48,36руб.44,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней112,22руб.102,92руб.101,06руб.98,58руб.91,76руб.89,90руб.87,42руб.78,74руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней145,08руб.133,92руб.130,82руб.127,72руб.119,04руб.115,94руб.113,46руб.101,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней74,40руб.68,20руб.66,96руб.65,10руб.60,76руб.59,52руб.57,66руб.52,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней143,22руб.132,06руб.128,96руб.125,86руб.122,14руб.117,80руб.111,60руб.100,44руб.

Характеристики

IRFR3410TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 31 А, 100 В The IRFR3410TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Fully avalanche rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252AA

Рассеиваемая Мощность

110Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

100В

Непрерывный Ток Стока

31А