16

IRFR110PBF, МОП-транзистор, N Канал, 4.3 А, 100 В, 540 мОм

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

44,00 руб.

x 44,00 = 44,00
Артикул: 1134435 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней44,00руб.40,92руб.39,60руб.38,72руб.36,08руб.35,20руб.34,32руб.31,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней79,64руб.73,04руб.71,72руб.69,96руб.65,12руб.63,80руб.62,04руб.55,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней102,96руб.95,04руб.92,84руб.90,64руб.84,48руб.82,28руб.80,52руб.72,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней52,80руб.48,40руб.47,52руб.46,20руб.43,12руб.42,24руб.40,92руб.36,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней101,64руб.93,72руб.91,52руб.89,32руб.86,68руб.83,60руб.79,20руб.71,28руб.

Характеристики

IRFR110PBF, МОП-транзистор, N Канал, 4.3 А, 100 В, 540 мОм The IRFR110PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

• Dynamic dV/dt rating
• Ease of paralleling
• Surface-mount
• Repetitive avalanche rated

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

25Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

4.3А