IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

190,00 руб.

Артикул: 1126189 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	190,00руб.	176,70руб.	171,00руб.	167,20руб.	161,50руб.	152,00руб.	148,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	357,20руб.	328,70руб.	323,00руб.	315,40руб.	304,00руб.	286,90руб.	279,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	362,90руб.	334,40руб.	326,80руб.	319,20руб.	304,00руб.	288,80руб.	283,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	228,00руб.	209,00руб.	205,20руб.	199,50руб.	193,80руб.	182,40руб.	176,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	330,60руб.	304,00руб.	296,40руб.	290,70руб.	281,20руб.	264,10руб.	256,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	207,10руб.	191,90руб.	186,20руб.	182,40руб.	176,70руб.	165,30руб.	161,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]The IRFP90N20DPBF is a 200V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.

• Low gate to drain charge to reduce switching loss
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA

Дополнительная информация

Корпус	to247ac
Структура	n-канал