Заполнитель

Транзистор IRFIZ24NPBF, Nкан 55В 13А TO220FP

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

58,00 руб.

x 58,00 = 58,00
Артикул: 1126152 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней58,00руб.53,94руб.52,20руб.51,04руб.47,56руб.46,40руб.45,24руб.41,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней104,98руб.96,28руб.94,54руб.92,22руб.85,84руб.84,10руб.81,78руб.73,66руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней135,72руб.125,28руб.122,38руб.119,48руб.111,36руб.108,46руб.106,14руб.95,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней69,60руб.63,80руб.62,64руб.60,90руб.56,84руб.55,68руб.53,94руб.48,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней133,98руб.123,54руб.120,64руб.117,74руб.114,26руб.110,20руб.104,40руб.93,96руб.

Характеристики

IRFIZ24NPBF, Nкан 55В 13А TO220FPThe IRFIZ24NPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. This isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier. The package is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing.

• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Isolated package
• 2.5kVRMS High voltage isolation
• 4.8mm Sink to lead creepage distance

Дополнительная информация

Корпус

to220fp
Структура

n-канал