IRFB5615PBF, Транзистор DIGITAL AUDIO MOSFET

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

70,00 руб.

Артикул: 1126092 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	70,00руб.	65,10руб.	63,00руб.	61,60руб.	57,40руб.	56,00руб.	54,60руб.	50,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	126,70руб.	116,20руб.	114,10руб.	111,30руб.	103,60руб.	101,50руб.	98,70руб.	88,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	163,80руб.	151,20руб.	147,70руб.	144,20руб.	134,40руб.	130,90руб.	128,10руб.	114,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	84,00руб.	77,00руб.	75,60руб.	73,50руб.	68,60руб.	67,20руб.	65,10руб.	58,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	161,70руб.	149,10руб.	145,60руб.	142,10руб.	137,90руб.	133,00руб.	126,00руб.	113,40руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB5615PBF, Транзистор DIGITAL AUDIO MOSFET The IRFB5615PBF is a 150V single N-channel Digital Audio HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. It is specially designed for class D audio amplifier applications. Gate charge, body diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175 C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. It features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for class-D audio amplifier applications.

• Key parameters optimized for class-D audio
• Amplifier applications
• Low RDS (ON) for improved efficiency
• Low QG and QSW for better THD and improved efficiency
• Low QRR for better THD and lower EMI
• Can deliver up to 300W per channel into 4R load in half-bridge configuration amplifier
• 175 C Operating junction temperature for ruggedness

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал