IRFB4710PBF, Транзистор, N-канал 100В 75А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

78,00 руб.

Артикул: 1126090 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	78,00руб.	72,54руб.	70,20руб.	68,64руб.	63,96руб.	62,40руб.	60,84руб.	56,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	141,18руб.	129,48руб.	127,14руб.	124,02руб.	115,44руб.	113,10руб.	109,98руб.	99,06руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	182,52руб.	168,48руб.	164,58руб.	160,68руб.	149,76руб.	145,86руб.	142,74руб.	127,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	93,60руб.	85,80руб.	84,24руб.	81,90руб.	76,44руб.	74,88руб.	72,54руб.	65,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	180,18руб.	166,14руб.	162,24руб.	158,34руб.	153,66руб.	148,20руб.	140,40руб.	126,36руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB4710PBF, Транзистор, N-канал 100В 75А [TO-220AB]The IRFB4710PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Fully characterized avalanche voltage and current

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал