2

IRF7862PBF, Транзистор, N-канал 30В 21А, [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

36,00 руб.

x 36,00 = 36,00
Артикул: 1126023 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней36,00руб.33,48руб.32,40руб.31,68руб.29,52руб.28,80руб.28,08руб.25,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней65,16руб.59,76руб.58,68руб.57,24руб.53,28руб.52,20руб.50,76руб.45,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней84,24руб.77,76руб.75,96руб.74,16руб.69,12руб.67,32руб.65,88руб.59,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней43,20руб.39,60руб.38,88руб.37,80руб.35,28руб.34,56руб.33,48руб.30,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней83,16руб.76,68руб.74,88руб.73,08руб.70,92руб.68,40руб.64,80руб.58,32руб.

Характеристики

IRF7862PBF, Транзистор, N-канал 30В 21А, [SO-8]The IRF7862PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for battery protection, high side and low side load switch, notebook processor power and isolated DC-to-DC converters.

• Ultra-low gate impedance
• Very low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
• 100% Rg tested
• 20V VGS Maximum gate rating

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

n-канал