IRF7413ZPBF, Транзистор, N-канал 30В 13А (=IRF7413ZTRPBF), [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

32,00 руб.

Артикул: 1125992 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	32,00руб.	29,76руб.	28,80руб.	28,16руб.	26,24руб.	25,60руб.	24,96руб.	23,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	57,92руб.	53,12руб.	52,16руб.	50,88руб.	47,36руб.	46,40руб.	45,12руб.	40,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	74,88руб.	69,12руб.	67,52руб.	65,92руб.	61,44руб.	59,84руб.	58,56руб.	52,48руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	38,40руб.	35,20руб.	34,56руб.	33,60руб.	31,36руб.	30,72руб.	29,76руб.	26,88руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	73,92руб.	68,16руб.	66,56руб.	64,96руб.	63,04руб.	60,80руб.	57,60руб.	51,84руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7413ZPBF, Транзистор, N-канал 30В 13А (=IRF7413ZTRPBF), [SO-8]The IRF7413ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. The control and synchronous rectifier MOSFET is suitable for graphics cards and POL converters in telecommunication systems.

• Ultra-low gate impedance
• Very low static drain-to-source ON-resistance
• 100% Tested for gate resistance

Дополнительная информация

Корпус	so8
Структура	n-канал