IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

25,00 руб.

Артикул: 1125981 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	25,00руб.	23,25руб.	22,50руб.	22,00руб.	20,50руб.	20,00руб.	19,50руб.	18,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	45,25руб.	41,50руб.	40,75руб.	39,75руб.	37,00руб.	36,25руб.	35,25руб.	31,75руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	58,50руб.	54,00руб.	52,75руб.	51,50руб.	48,00руб.	46,75руб.	45,75руб.	41,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	30,00руб.	27,50руб.	27,00руб.	26,25руб.	24,50руб.	24,00руб.	23,25руб.	21,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	57,75руб.	53,25руб.	52,00руб.	50,75руб.	49,25руб.	47,50руб.	45,00руб.	40,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]The IRF7342TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance