2

IRF7328PBF, Транзистор, 2P-канала 30В 8.0А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

37,00 руб.

x 37,00 = 37,00
Артикул: 1125976 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней37,00руб.34,41руб.33,30руб.32,56руб.30,34руб.29,60руб.28,86руб.26,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней66,97руб.61,42руб.60,31руб.58,83руб.54,76руб.53,65руб.52,17руб.46,99руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней86,58руб.79,92руб.78,07руб.76,22руб.71,04руб.69,19руб.67,71руб.60,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней44,40руб.40,70руб.39,96руб.38,85руб.36,26руб.35,52руб.34,41руб.31,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней85,47руб.78,81руб.76,96руб.75,11руб.72,89руб.70,30руб.66,60руб.59,94руб.

Характеристики

IRF7328PBF, Транзистор, 2P-канала 30В 8.0А [SO-8]The IRF7328PBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

• Trench technology
• Ultra low ON-resistance

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

p-канал