Транзистор IRF7301PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 5.2А 0.050Ом [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

25,00 руб.

Артикул: 1125960 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	25,00руб.	23,25руб.	22,50руб.	22,00руб.	20,50руб.	20,00руб.	19,50руб.	18,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	45,25руб.	41,50руб.	40,75руб.	39,75руб.	37,00руб.	36,25руб.	35,25руб.	31,75руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	58,50руб.	54,00руб.	52,75руб.	51,50руб.	48,00руб.	46,75руб.	45,75руб.	41,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	30,00руб.	27,50руб.	27,00руб.	26,25руб.	24,50руб.	24,00руб.	23,25руб.	21,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	57,75руб.	53,25руб.	52,00руб.	50,75руб.	49,25руб.	47,50руб.	45,00руб.	40,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7301PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 5.2А 0.050Ом [SO-8]Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.

Дополнительная информация

Корпус	so8
Структура	2n-канала