2

IRF7105PBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

21,00 руб.

x 21,00 = 21,00
Артикул: 1125953 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней21,00руб.19,53руб.18,90руб.18,48руб.17,22руб.16,80руб.16,38руб.15,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней38,01руб.34,86руб.34,23руб.33,39руб.31,08руб.30,45руб.29,61руб.26,67руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней49,14руб.45,36руб.44,31руб.43,26руб.40,32руб.39,27руб.38,43руб.34,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней25,20руб.23,10руб.22,68руб.22,05руб.20,58руб.20,16руб.19,53руб.17,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней48,51руб.44,73руб.43,68руб.42,63руб.41,37руб.39,90руб.37,80руб.34,02руб.

Характеристики

IRF7105PBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]The IRF7105PBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

n/p-канал