IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

38,00 руб.

Артикул: 1126665 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	38,00руб.	35,34руб.	34,20руб.	33,44руб.	31,16руб.	30,40руб.	29,64руб.	27,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	68,78руб.	63,08руб.	61,94руб.	60,42руб.	56,24руб.	55,10руб.	53,58руб.	48,26руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	88,92руб.	82,08руб.	80,18руб.	78,28руб.	72,96руб.	71,06руб.	69,54руб.	62,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	45,60руб.	41,80руб.	41,04руб.	39,90руб.	37,24руб.	36,48руб.	35,34руб.	31,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	87,78руб.	80,94руб.	79,04руб.	77,14руб.	74,86руб.	72,20руб.	68,40руб.	61,56руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]The IRF640PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175 C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement