47

IRF3710PBF, Транзистор, N-канал 100В 57А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

48,00 руб.

x 48,00 = 48,00
Артикул: 1125883 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней48,00руб.44,64руб.43,20руб.42,24руб.39,36руб.38,40руб.37,44руб.34,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней86,88руб.79,68руб.78,24руб.76,32руб.71,04руб.69,60руб.67,68руб.60,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней112,32руб.103,68руб.101,28руб.98,88руб.92,16руб.89,76руб.87,84руб.78,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней57,60руб.52,80руб.51,84руб.50,40руб.47,04руб.46,08руб.44,64руб.40,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней110,88руб.102,24руб.99,84руб.97,44руб.94,56руб.91,20руб.86,40руб.77,76руб.

Характеристики

IRF3710PBF, Транзистор, N-канал 100В 57А [TO-220AB]The IRF3710PBF is a 100V single N-channel Advanced HEXFET® Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rated
• 175 C Operating temperature

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал